Diodo semiconductor
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio .
Símbolo del diodo (A - ánodo, K - cátodo)
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Principio de operación de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) yel semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensión positiva se aplica aliado P y una negativa aliado N, los electrones en el lado N son empujados aliado P y los electrones fluyen a través del material P allá de los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa aliado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica aliado N y una negativa aliado P, los electrones en el lado N son empujados aliado N y los huecos del lado P son empujados aliado P.
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio .
Símbolo del diodo (A - ánodo, K - cátodo)
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Principio de operación de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) yel semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensión positiva se aplica aliado P y una negativa aliado N, los electrones en el lado N son empujados aliado P y los electrones fluyen a través del material P allá de los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa aliado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica aliado N y una negativa aliado P, los electrones en el lado N son empujados aliado N y los huecos del lado P son empujados aliado P.
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